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想让 MOS 管快速开关?驱动电路设计要点你都了解吗?MOS 管的开关速度越快，对电路性能越有利。这是因为开关时间越短，开关损耗就越小，而在开关电源里，开关损耗在总损耗中占据相当大的比例。所以，MOS 管驱动电路的设计优劣直接决定了电源的效率表现。那么如何实现MOS 管的快速开启和关闭呢？关键在于提供足够大的瞬间驱动等我继续说。

江西赣锋锂电取得一种带集成 MOS 开关的电池模组专利,简化电池模组...金融界2024 年8 月30 日消息，天眼查知识产权信息显示，江西赣锋锂电科技股份有限公司取得一项名为“一种带集成MOS 开关的电池模组“授权公告号CN202323604441.6,申请日期为2023 年12 月。专利摘要显示，本实用新型提供了一种带集成MOS 开关的电池模组，包括：多个电芯好了吧！

分享一个小型开关电源,MOS管的灌流电路在一些功率较小的开关电源中，其MOS 管常常采用图1所示的驱动电路。图1 在该电路中，D 代表充电二极管，Q 代表放电三极管(PNP 型)。其工作过程如下：当激励方波处于正半周时，充电二极管D 导通，开始对MOS 管输入端的等效电容进行充电，此时放电三极管Q 处于截止状态；而当激等会说。

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MOS管开关波形异常,究竟是怎么回事?理想状态下，MOS管的开关波形应与控制信号电压波形一致。然而实际应用里，MOS 管开关波形常常出现异常，这是怎么回事呢？如下图所示，当输入信号为1MHz,幅度5V的方波信号，通过200Ω电阻R1连接到NMOS的栅极时。波形显示Ud电压最小值还在5V左右就又开始上升，即MOS管的开等我继续说。

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...抑制 MOS 串扰的电路专利,降低串扰电压且不增加 MOS 管开关损耗金融界2024 年7 月17 日消息，天眼查知识产权信息显示，河南嘉晨智能控制股份有限公司申请一项名为“一种抑制MOS 串扰的电路及其方法”，公开号CN202410452159.0,申请日期为2024 年4 月。专利摘要显示，本发明能降低下管Q2 的串扰电压的同时不增加MOS 管的开关损耗。..

揭秘小型开关电源:MOS管灌流电路的奥秘在一些功率较小的开关电源设计中，其核心组件包括充电二极管(标记为D)和放电三极管(标记为Q,类型为PNP)。图1展示了这一基本结构。该电路的工作原理如下：在激励方波信号处于正半周期时，充电二极管开始工作；而在负半周期时，则是放电三极管发挥作用。通过这种方式，整个系统能说完了。

揭秘小型开关电源中MOS管灌流电路的设计与应用在一些功率较低的开关电源中，其结构通常包含特定的电路组件。图1 在该电路中，D代表充电二极管，而Q代表放电三极管(PNP型)。当激励方波处于正半周期时，充电二极管将进行正向偏置，允许电流通过，为电容器或负载提供能量。相反地，当激励方波进入负半周期时，由于充电二极管的特是什么。

智明微电子取得一种集成MOS型智能功率开关专利金融界2024年11月25日消息，国家知识产权局信息显示，广州智明微电子科技有限公司取得一项名为“一种集成MOS型智能功率开关”的专利，授权公告号CN 118676184 B,申请日期为2024年6月。

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分享一个高效小型开关电源设计:优化MOS管灌流电路在一些功率较小的开关电源中，其电路配置通常包括一个充电二极管和一个放电三极管(PNP型)来控制电流的流动。图1 在该电路中，D代表充电二极管，Q代表放电三极管(PNP型)。当激励方波处于正半周时，充电二极管导通，允许电流通过并向负载供电；而当激励方波处于负半周时，充电二极是什么。

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华之杰取得一种MOS管散热结构专利,实现对开关控制板正反面双向...苏州华之杰电讯股份有限公司取得一项名为“一种MOS管散热结构“授权公告号CN21379352U,申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本实用新型提供了一种MOS管散热结构，包括下盖板组，所述下盖板组内安装有基座，所述基座与下盖板组之间设置有开关控制板，所述开关控制板安装说完了。

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